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FDP025N06

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  • 产åå称ï1/460V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
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FDP025N0660V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene

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IPB017N06N3 INFINEON10+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,7 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB015N04N INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB011N04N INFINEON11+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,1 mOhm; RDS (ein) (ma
FDP047N10 INFINEON11+TO-220100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP032N08 INFINEON11+TO-220AB75V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDB2532 INFINEON11+TO-263150 V N-Kanal UltraFET-Trench-MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
FDB047N10 INFINEON11+TO-263100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
BUZ73 INFINEON11+TO-220N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)
BUZ30A INFINEON11+TO-220SIPMOSåçæ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4éªå'çº ©§ï1/4
BUZ11 INFINEON11+TO-22030Aæ¡ç50Vï1/40.040 ohmçNééåçMOSFET

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

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FDB2532 INFINEON11+TO-263150 V N-Kanal UltraFET-Trench-MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
FDB047N10 INFINEON11+TO-263100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
BUZ73 INFINEON11+TO-220N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)
BUZ30A INFINEON11+TO-220SIPMOSåçæ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4éªå'çº ©§ï1/4
BUZ11 INFINEON11+TO-22030Aæ¡ç50Vï1/40.040 ohmçNééåçMOSFET
BSZ100N03LSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (auf
BSZ088N03MSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSZ088N03LSG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSO4822XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm
BSO4822 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm
BSO4804XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
BSO4804 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
BSO4420XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4420 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4410XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO4410 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO350N03XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal 20V 250V Mosfet(â¦); å è£ :P G-DSO-8; å è£ :SO-8; VDSå ¬å ̧(æé«):30,0 V; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈)(æé«)(@10V):è3/43/4å°mOhmå ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); (æé«) (@4,5 V):52,0 mOhm; ID(æé«):5.0 A
BSO350N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
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