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BUZ1130Aæ¡ç50Vï1/40.040 ohmçNééåçMOSFET

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FDP025N06 INFINEON11+TO-220-360V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDB2532 INFINEON11+TO-263150 V N-Kanal UltraFET-Trench-MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
FDB047N10 INFINEON11+TO-263100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
BUZ73 INFINEON11+TO-220N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)
BUZ30A INFINEON11+TO-220SIPMOSåçæ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4éªå'çº ©§ï1/4
BSZ100N03LSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (auf
BSZ088N03MSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSZ088N03LSG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSO4822XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm
LM2902PWR TI08+TSSOPç¬æçμåæå¶å ̈

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSZ100N03LSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (auf
BSZ088N03MSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSZ088N03LSG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSO4822XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm
BSO4822 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm
BSO4804XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
BSO4804 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
BSO4420XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4420 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4410XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO4410 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO350N03XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal 20V 250V Mosfet(â¦); å è£ :P G-DSO-8; å è£ :SO-8; VDSå ¬å ̧(æé«):30,0 V; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈)(æé«)(@10V):è3/43/4å°mOhmå ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); (æé«) (@4,5 V):52,0 mOhm; ID(æé«):5.0 A
BSO350N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03S INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03S INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO150N03XT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm
BSO150N03 INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm

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