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IPB037N06N3
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IPB037N06N3

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
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IPB037N06N3N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; Bezeichnung (max.): 90,0 A;

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IPB04N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04CN10N INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB03N03LB INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB03N03LA INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB030N08N3 INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB027N10N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB025N08N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N06N3G INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N04N INFINEON10+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)

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M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPB030N08N3 INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB027N10N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB025N08N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N06N3G INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N04N INFINEON10+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB017N06N3 INFINEON10+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,7 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB015N04N INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB011N04N INFINEON11+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,1 mOhm; RDS (ein) (ma
FDP047N10 INFINEON11+TO-220100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP032N08 INFINEON11+TO-220AB75V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP025N06 INFINEON11+TO-220-360V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDB2532 INFINEON11+TO-263150 V N-Kanal UltraFET-Trench-MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
FDB047N10 INFINEON11+TO-263100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
BUZ73 INFINEON11+TO-220N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)
BUZ30A INFINEON11+TO-220SIPMOSåçæ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4éªå'çº ©§ï1/4
BUZ11 INFINEON11+TO-22030Aæ¡ç50Vï1/40.040 ohmçNééåçMOSFET
BSZ100N03LSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (auf
BSZ088N03MSG INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSZ088N03LSG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein)
BSO4822XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm

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