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IPD05N03LA
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IPD05N03LA

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
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IPD05N03LA åçæ¶ä1/2管N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,4 mOhm; Zulässigkeit (max.): 50,0 A;

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SB310 VISHAY09+DO-201ADæ¡¥å1/4æ'æμå ̈æ'æμäºæ管
IPD06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD060N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
SB305G SEP10+DIP 
IPD05N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
SB158W LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPD04N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
SB158M LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈

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AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL

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IPD04N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD03N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPBH6N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB80N06S2L11 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4
IPB70N10SL16 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4
IPB47N10S33 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4
IPB26CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB26CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB16CNE8N INFINEON2010+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,2 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB16CN10N INFINEON2010+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB14N03LA INFINEON2010+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)
IPB13N03LB INFINEON2010+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)
IPB12CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB12CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB11N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB10N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB09N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (

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