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IPD12CNE8N
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IPD12CNE8N

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
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IPD12CNE8N åçæ¶ä1/2管N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; Bezeichnung (max): 67,0 A;

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IPD144N06NG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管
IPD13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Flachbandkabel; Anzahl der Leiter:10; Rasterabstand: 0,05 Zoll; Leitergröße AWG: 28; Anzahl Stränge x Stranggröße:7 x 36; Leitermaterial: C
IPD135N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (
SB320 VISHAY10+DO201ADæ¡¥å1/4æ'æμå ̈æ'æμäºæ管
SB310G SEP/TSC11+ROHDIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPD12CN10N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
SB3100G SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPD10N03LA INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD09N03LB INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD090N03LG INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPD12CN10N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD10N03LA INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD09N03LB INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD090N03LG INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD06N03LB INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD060N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD05N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD05N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD04N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD03N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPBH6N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB80N06S2L11 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4
IPB70N10SL16 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4
IPB47N10S33 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4
IPB26CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB26CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.)

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