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IPD78CN10N
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IPD78CN10N

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 78,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4SOT-252
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IPD78CN10N åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 78,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; Innerer Nennwert (max.): 13,0 A; ;

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IPF04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,0 mOhm;
IPDH9N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPDH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPDH5N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPDH4N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD64CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 64,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 49,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 33,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)

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621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPD64CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 64,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 49,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 33,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD20N03L INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD16CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD16CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD144N06NG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管
IPD13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Flachbandkabel; Anzahl der Leiter:10; Rasterabstand: 0,05 Zoll; Leitergröße AWG: 28; Anzahl Stränge x Stranggröße:7 x 36; Leitermaterial: C
IPD135N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD12CNE8N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD12CN10N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD10N03LA INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD09N03LB INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD090N03LG INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD06N03LB INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD060N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD05N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @

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