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IPD16CNE8N
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IPD16CNE8N

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
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IPD16CNE8N åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; Innendurchmesser (max.): 53,0 A;

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IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 49,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 33,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD20N03L INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD16CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD144N06NG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管
IPD13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Flachbandkabel; Anzahl der Leiter:10; Rasterabstand: 0,05 Zoll; Leitergröße AWG: 28; Anzahl Stränge x Stranggröße:7 x 36; Leitermaterial: C
IPD135N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (
SB320 VISHAY10+DO201ADæ¡¥å1/4æ'æμå ̈æ'æμäºæ管

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Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPD16CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD144N06NG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管
IPD13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Flachbandkabel; Anzahl der Leiter:10; Rasterabstand: 0,05 Zoll; Leitergröße AWG: 28; Anzahl Stränge x Stranggröße:7 x 36; Leitermaterial: C
IPD135N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD12CNE8N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD12CN10N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD10N03LA INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD09N03LB INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD090N03LG INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD06N03LB INFINEON2010+TO-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD060N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD05N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD05N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD04N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD03N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPD03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPBH6N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (

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