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IPI05N03LA
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IPI05N03LA

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (
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IPI05N03LA åçæ¶ä1/2管N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,1 mOhm; Bezeichnung (max): 80,0 A;

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IPI08CNE8N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI08CN10N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI06N03LA INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPI06CNE8N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI06CN10N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI05CNE8N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI05CN10N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI04N03LA INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPI03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPFH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,8 mOhm;

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
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ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPI05CNE8N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI05CN10N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPI04N03LA INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPI03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPFH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,8 mOhm;
IPF13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,8 mOhm;
IPF10N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm;
IPF09N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm;
IPF06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:61; Größe der Steckerschale: 24; Anschluss: Crimpen; Kreisförmig
IPF05N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,3 mOhm;
IPF04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: Reverse DPAK (Reverse TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,0 mOhm;
IPDH9N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPDH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPDH5N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPDH4N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPD78CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 78,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD64CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 64,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 49,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 33,0 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPD25CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (ein) (max.)

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