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IPI05CNE8N
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IPI05CNE8N

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  • 产åå称ï1/4® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 85,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,4 mOhm ; RDS (activé) (max.)
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IPI05CNE8N åçæ¶ä1/2管MOSFET à canal N (20V... 250 V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 85,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,4 mOhm ; RDS (activé) (max) (@4,5 V) : - ; ID (max) : 100,0 A ;

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IPI08CN10N INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 8,5 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPI06N03LA INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : P-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 6,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPI06CNE8N INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 6,5 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPI06CN10N INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 6,5 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPI05N03LA INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : P-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 4,9 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPI05CN10N INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,4 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPI04N03LA INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : P-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 4,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPI03N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPFH6N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 12,8 mOhm ;
IPF13N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 12,8 mOhm ;

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ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 Connecteurs AB25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 Connecteurs AB25+è¿æ¥å ̈onnector Accouplement à baïonnette inversée circulaire RCP 14S-5 ST Montage en boîte - En vrac
ABB1240KLKF80P3 Connecteurs AB24+è¿æ¥å ̈Goupille de contact taille 12. Fil AWG 40
ABB1240KPKF80P3 Connecteurs AB24+è¿æ¥å ̈Goupille de contact taille 12. Fil AWG 40
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+TREMPERCondensateur : céramique, 4.7nF, 1kV, U2J, ±5 %, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+TREMPERè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 Connecteurs AB24+è¿æ¥å ̈Connecteur circulaire MIL Spec ER 5C 5 # 16S SKT PLUG
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Condensateur : céramique, 15pF, 1kV, U2J, ±5 %, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Electronics24+è¿æ¥å ̈CONNECTEUR CONN R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Vrac (Alt : A22NNBGMNWAG101NN)
Réf. C-1106437 Connectivité TE24+è¿æ¥å ̈Accessoires de connecteur Capot en aluminium moulé sous pression Pièce détachée
KH208-8 Vitrohm24+TREMPERRésistance, 100 milliohms, 1/2 10 %, 5 W, à sorties axiales, bobinées, puissance (Alt : KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+TREMPER©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
Référence EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈Connecteur 309, 3P+N+E / 5W - 60A - Connecteur - 277/480V keway 7h, IP67
HBL430B7W Câblage des locaux de Hubbell24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, ENTRÉE, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
Référence 621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈connecteur circulaire connecteur connecteur taille 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relais - Enfichable, 4 pôles, bobine AC
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPI05CN10N INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,4 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPI04N03LA INFINEON2010+TO262-3® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : P-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 4,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPI03N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO262-3 ; Paquet : I2PAK (TO-262) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPFH6N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 12,8 mOhm ;
IPF13N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 12,8 mOhm ;
IPF10N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 10,4 mOhm ;
IPF09N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 8,8 mOhm ;
IPF06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Connecteur circulaire ; Matériau du corps : aluminium ; Série :PT06 ; Nombre de contacts :61 ; Taille de la coque du connecteur : 24 ; Terminaison de connexion :Sertissage ; Circulaire
IPF05N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,3 mOhm ;
IPF04N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK inversé (TO-252 inversé) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 4,0 mOhm ;
IPDH9N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 9,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPDH6N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 6,0 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPDH5N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPDH4N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 4,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPD78CN10N INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 78,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPD64CN10N INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 64,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 49,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 33,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPD25CNE8N INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 25,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 25,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)

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