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IRF7832PBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRFZ34NSPBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRFB4321PBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF3007PBF |
IR |
2010+ |
HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF7201TRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7201 mit Tape-and-Reel-Verpackung |
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IRFI4212H-117P |
IR |
2010+ |
æ°åé³é¢MOSFET DIGITAL AUDIO MOSFET |
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IRFL4310TRPBF |
IR |
2010+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRFL4310TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFS4227PBF |
IR |
2010+ |
PDP-SCHALTER |
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IRFR9120NPBF |
IR |
2010+ |
LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 2280; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 73; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; Pi |
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IRF5803TRPBF |
IR |
2010+ |
-40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803TR mit bleifreier Verpackung. |
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IRL520NSTRLPBF |
IR |
2010+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRL520NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3710STRLPBF |
IR |
2010+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3710STRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IPS7081PBF |
IR |
2010+ |
é«è3/4¹æºè1/2çμæºå1/4å ³INTELLIGENT POWER HIGH-SIDE-SCHALTER |
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IRF7240TRPBF |
IR |
2010+ |
-40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse |
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IRF7470TRPBF |
IR |
2010+ |
40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7470TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Ree |
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IRF7811AVTRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7811AVTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFS4310ZPBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF9Z34NSTRLPBF |
IR |
2010+ |
-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z34NSTRL mit bleifreier Verpackung |
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IR2101STRPBF |
IR |
2010+ |
High- und Low-Side-Treiber, nicht invertierende Eingänge in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse |
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IRLZ34NPBF |
IR |
2010+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ34NPBF mit Standardverpackung |
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