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IPS7081PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | é«è3/4¹æºè1/2çμæºå1/4å ³INTELLIGENT POWER HIGH SIDE SWITCH |
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IRF8010PBF
| IR | 2010+ | TO-220 | MOSFET de puissance HEXFET |
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IRF7240TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique -40V dans un boîtier SO-8 |
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IRF7470TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | MOSFET de puissance HEXFET 40V à canal N unique dans un boîtier SO-8 ; Similaire à IRF7470TR avec un emballage sans plomb sur ruban et ree |
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IRF7811AVTRPBF
| IR | 2010+ | POS 8 | MOSFET de puissance HEXFET 30V monocanal N dans un boîtier SO-8 ; Semblable à IRF7811AVTR avec un emballage sans plomb sur ruban et bobine |
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IRFS4310ZPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | MOSFET de puissance HEXFET |
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IRF9Z34NSTRLPBF
| IR | 2010+ | D2-PAK | MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique -55V dans un boîtier D2-Pak ; Similaire à IRF9Z34NSTRL avec emballage sans plomb |
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IR2101STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Haut-parleur côté haut et bas, entrées non inverses dans un boîtier SOIC à 8 broches |
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IRLZ34NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | MOSFET de puissance HEXFET 55 V à canal N unique dans un boîtier TO-220AB ; Un IRLZ34NPBF avec un emballage standard |
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IRF7534D1TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | æ±1/2è1/2¦MOS |
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IRFR3504ZPBF
| IR | 2010+ | D-pak | æ±1/2è1/2¦MOS |
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IRF530NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | MOSFET de puissance HEXFET 100 V à canal N unique dans un boîtier D2-Pak ; Similaire à IRF530NSTRL avec emballage sans plomb sur ruban et bobine gauche |
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AUIPS7221R
| IR | 2010+ | TO-220 | Commutateur d’alimentation intelligent : pilote bas côté simple canal dans un boîtier SOT-223 |
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IRL530NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique 100 V dans un boîtier TO-220AB ; Similaire à IRL530N avec emballage sans plomb |
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IRF6620TR1PBF
| IR | 2010+ | SMD | Un MOSFET de puissance HEXFET 20 V à canal N unique dans un boîtier DirectFET MX évalué à 150 ampères optimisé avec une faible résistance à l’état passant pour des applications telles que le courant alternatif |
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IRF7311TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | MOSFET de puissance HEXFET double canal N 20V dans un boîtier SO-8 ; Semblable à IRF7311TR avec un emballage sans plomb sur ruban et bobine |
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IR2111STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Pilote de demi-pont, temps mort fixe de 650 ns dans un boîtier DIP à 8 broches ; Un IR2111 emballé dans un SOIC à 8 broches expédié sur bande et bobine |
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IR2110SPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱 20 caractères x 4 lignes, 5x7 caractères matriciels et curseur |
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IRF6635TR1PBF
| IR | 2010+ | NFQ | Un MOSFET de puissance HEXFET monocanal N de 30 V dans un boîtier DirectFET MX évalué à 180 ampères, optimisé avec une faible résistance à l’état passant pour des applications telles que le courant alternatif |
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IRF7416PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFETåçMOSFET |