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IR2101STRPBF
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IR2101STRPBF

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IR2101STRPBFHaut-parleur côté haut et bas, entrées non inverses dans un boîtier SOIC à 8 broches

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IR2101STRPBF IR2010+SOP-8Haut-parleur côté haut et bas, entrées non inverses dans un boîtier SOIC à 8 broches

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AB0521001412PN00 Connecteurs AB24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Transformateur de contrôle et d’isolement monophasé
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATALOGIC22+TREMPERcapteurs photoélectriques
M393A8G40BB4-CWE Samsung21+BGASamsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+TREMPEROptocoupleur DC-IN 1-CH Transistor avec base DC-OUT 8 broches PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SUNBANK2023+è¿æ¥å ̈Contacts circulaires standard Contact à sertir 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Ans Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Opérations industrielles d’Amphenol24+è¿æ¥å ̈COUPELLE DE SOUDURE CONN RCPT FMALE 6POS
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈connecteur circulaire, réceptacle, taille 14, 15 positions, boîte, gamme de produits :Série PT,
U-MULTILINK-FX NXP24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circulaire PIN 4 POS Souder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+TREMPERFamille HSC de résistances de puissance logées en aluminium Capacité de dissipation 75W-500W, anodisation dorée et deux brides de montage.
Référence 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Dimensions du contact - Mâle F80 Sertissage
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+TREMPERRES 39.2 OHM 10W 1% WW AXIAL

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IRLZ34NPBF IR2010+TO-220MOSFET de puissance HEXFET 55 V à canal N unique dans un boîtier TO-220AB ; Un IRLZ34NPBF avec un emballage standard
IRF7534D1TRPBF IR2010+SOP-8æ±1/2è1/2¦MOS
IRFR3504ZPBF IR2010+D-pakæ±1/2è1/2¦MOS
IRF530NSTRLPBF IR2010+TO-263MOSFET de puissance HEXFET 100 V à canal N unique dans un boîtier D2-Pak ; Similaire à IRF530NSTRL avec emballage sans plomb sur ruban et bobine gauche
AUIPS7221R IR2010+TO-220Commutateur d’alimentation intelligent : pilote bas côté simple canal dans un boîtier SOT-223
IRL530NPBF IR2010+TO-220MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique 100 V dans un boîtier TO-220AB ; Similaire à IRL530N avec emballage sans plomb
IRF6620TR1PBF IR2010+SMDUn MOSFET de puissance HEXFET 20 V à canal N unique dans un boîtier DirectFET MX évalué à 150 ampères optimisé avec une faible résistance à l’état passant pour des applications telles que le courant alternatif
IRF7311TRPBF IR2010+SOP-8MOSFET de puissance HEXFET double canal N 20V dans un boîtier SO-8 ; Semblable à IRF7311TR avec un emballage sans plomb sur ruban et bobine
IR2111STRPBF IR2010+SOP-8Pilote de demi-pont, temps mort fixe de 650 ns dans un boîtier DIP à 8 broches ; Un IR2111 emballé dans un SOIC à 8 broches expédié sur bande et bobine
IR2110SPBF IR2010+SOP-8é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱 20 caractères x 4 lignes, 5x7 caractères matriciels et curseur
IRF6635TR1PBF IR2010+NFQUn MOSFET de puissance HEXFET monocanal N de 30 V dans un boîtier DirectFET MX évalué à 180 ampères, optimisé avec une faible résistance à l’état passant pour des applications telles que le courant alternatif
IRF7416PBF IR2010+SOP-8HEXFETåçMOSFET
IRF5305STRLPBF IR2010+TO-263MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique -55V dans un boîtier D2-Pak ; Similaire à IRF5305STRL avec emballage sans plomb
IRG4BC40UPBF IR2010+TO-220ABç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«é NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRL3705NPBF IR10+TO-220MOSFET de puissance HEXFET 55 V à canal N unique dans un boîtier TO-220AB ; Similaire à la IRL3705N avec un emballage sans plomb
IRFR3910TRPBF IR10+TO-252MOSFET de puissance HEXFET 100 V à canal N unique dans un boîtier D-Pak ; Similaire à IRFR3910TR avec un emballage sans plomb sur ruban et bobine
IRFR3910TRLPBF IR10+D-pakMOSFET de puissance HEXFET 100 V à canal N unique dans un boîtier D-Pak ; Similaire à IRFR3910TRL avec emballage sans plomb sur ruban et bobine gauche
IRF640NSTRRPBF IR10+D2PAKMOSFET de puissance HEXFET à canal N unique 200 V dans un boîtier D2-Pak ; Similaire à IRF640NSTRR avec un emballage sans plomb sur ruban et bobine droite
IRLL2705TRPBF IR10+SOT-223MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique 55 V dans un boîtier SOT-223 ; Similaire à IRLL2705TR avec emballage sans plomb sur ruban et bobine
IRF6631TRPBF IR10+NFQUn MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique de 30 V dans un boîtier DirectFET SQ évalué à 57 ampères, optimisé avec une faible résistance à l’état passant pour des applications telles que l’action

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