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IRF6620TR1PBF
| IR | 2010+ | SMD | Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRF7311TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7311TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2111STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Halbbrückentreiber, feste 650ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2111 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IR2110SPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱 20 Zeichen x 4 Zeilen, 5x7 Punktmatrix-Zeichen und Cursor |
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IRF6635TR1PBF
| IR | 2010+ | QFN | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRF7416PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFETåçMOSFET |
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IRF5305STRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | -55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5305STRL mit bleifreier Verpackung |
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IRG4BC40UPBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«é NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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IRL3705NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRL3705N mit bleifreier Verpackung |
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IRFR3910TRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFR3910TRLPBF
| IR | 10+ | D-pak | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF640NSTRRPBF
| IR | 10+ | D2PAK | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right |
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IRLL2705TRPBF
| IR | 10+ | SOT-223 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6631TRPBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRFR2405TRLPBF
| IR | 10+ | D-pak | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7328TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRLL024ZTRPBF
| IR | 10+ | SOT-223 | æ±1/2è1/2¦MOSFET |
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GBPC25-06W
| IR | 10+ | DIP | Glaspassivierter einphasiger Brückengleichrichter (éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈) |
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IRFP2907PBF
| IR | 10+ | TO-247 | æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A) |
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IRG4PC50SPBF
| IR | 10+ | TO-247 | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管 BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE |