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IRG4BC40UPBF
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IRG4BC40UPBFç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«é NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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IR2111STRPBF IR2010+SOP-8Halbbrückentreiber, feste 650ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2111 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IR2110SPBF IR2010+SOP-8é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱 20 Zeichen x 4 Zeilen, 5x7 Punktmatrix-Zeichen und Cursor
IRF6635TR1PBF IR2010+QFNEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
IRF7416PBF IR2010+SOP-8HEXFETåçMOSFET
IRF5305STRLPBF IR2010+TO-263-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5305STRL mit bleifreier Verpackung
IRL3705NPBF IR10+TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRL3705N mit bleifreier Verpackung
IRFR3910TRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR3910TRLPBF IR10+D-pak100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF640NSTRRPBF IR10+D2PAK200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right
IRLL2705TRPBF IR10+SOT-22355-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel

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M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC

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IRL3705NPBF IR10+TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRL3705N mit bleifreier Verpackung
IRFR3910TRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR3910TRLPBF IR10+D-pak100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF640NSTRRPBF IR10+D2PAK200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right
IRLL2705TRPBF IR10+SOT-22355-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6631TRPBF IR10+QFNEin 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IRFR2405TRLPBF IR10+D-pak55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7328TRPBF IR10+SOP-8-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRLL024ZTRPBF IR10+SOT-223æ±1/2è1/2¦MOSFET
GBPC25-06W IR10+DIPGlaspassivierter einphasiger Brückengleichrichter (éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈)
IRFP2907PBF IR10+TO-247æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A)
IRG4PC50SPBF IR10+TO-247ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管 BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
IRF540NSTRLPBF IR10+TO-263100V Næ²éåºæåºç®¡
IRLZ34NSTRLPBF IR10+SOT-26355V Næ²éåºæåºç®¡
IRLR120NTRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRFB3004PBF IR10+TO-24740-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRG4PC50UPBF IR10+SMDç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRF6620TRPBF IR10+SMDEin 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
IRG4RC10SPBF IR10+TO-252600 V DC-1 kHz (Standard) Diskreter IGBT in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4RC10S mit bleifreier Verpackung
IRFP4232PBF IR10+TO-247HEXFET-Leistungs-MOSFET

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