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IRLR120NTRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRFB3004PBF
| IR | 10+ | TO-247 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRG4PC50UPBF
| IR | 10+ | SMD | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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IRF6620TRPBF
| IR | 10+ | SMD | Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRG4RC10SPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 600 V DC-1 kHz (Standard) Diskreter IGBT in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4RC10S mit bleifreier Verpackung |
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IRFP4232PBF
| IR | 10+ | TO-247 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3808PBF
| IR | 10+ | TO-220AB | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7103TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 50-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6623TR1PBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IR2110STRPBF
| IR | 10+ | SOP-16 | High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in |
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IRLL2705PBF
| IR | 10+ | SOT-223 | HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A ) |
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IRF5800TRPBF
| IR | 10+ | SOT23-6 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung. |
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IRLR024NTRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFS4127TRLPBF
| IR | 10+ | TO-262 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse |
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IRF3415PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFETåçMOSFET |
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IRF520NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung |
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IRF3415SPBF
| IR | 10+ | D2-PAK | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung |
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IR2136JTRPBF
| IR | 10+ | PLCC-32 | 3-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf |
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IR2181PBF
| IR | 10+ | DIP8-KARTON | é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA |
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IRLZ24NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung |