IRF6623TR1PBF

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äº§ååç§°ï1/4Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
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IRF6623TR1PBFEin 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6623 für die Verwendung mit bleifreiem Löten qualifiziert, das in Band und Rolle 1000 Stück geliefert wird

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IRF6623TR1PBF	IR	10+	QFN	Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie

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KPT02E8-4P	ITT	24+	è¿æ¥å ̈	Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J	TE	24+	DIP	HSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12	ITT	2023+	è¿æ¥å ̈	Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F	Daniels Manufacturing Corporation (DMC)	24+	å·¥å ·	DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T	CMF	23+	æ ̈¡å	Tç³»åä ̧æç®¡æ3/4å¤§å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR	Vishay	24+	DIP	RES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU	STPI	22+	ç»§çμå ̈	STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC	ä ̧è±	2024+	å·¥å ·	ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV	Vishay Dale	24+	1206	SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410	Crydom Inc	23+	ç»§çμå ̈	Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V	Mors Smitt	2024+	ç»§çμå ̈	éé/åç ̈³æéè1/21/2åçç»§çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF	CTS	2024+	DIP	å3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C æ»¤æ³¢å ̈
MPY20W1470FB00MSSD	Wima	2023+	DIP2	MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230	MORSSMITT	2024+	ç»§çμå ̈	Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005	T&M	2024+	ç'æ	æ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0	è¥¿é ̈å	23+	SPS	6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01	Elma Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35	Amphenol	24+	è¿æ¥å ̈	é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12	ITT Interconnect-Lösungen	23+	è¿æ¥å ̈	VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

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IR2110STRPBF	IR	10+	SOP-16	High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in
IRLL2705PBF	IR	10+	SOT-223	HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A )
IRF5800TRPBF	IR	10+	SOT23-6	-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung.
IRLR024NTRPBF	IR	10+	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFS4127TRLPBF	IR	10+	TO-262	200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse
IRF3415PBF	IR	10+	TO-220	HEXFETåçMOSFET
IRF520NPBF	IR	10+	TO-220	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung
IRF3415SPBF	IR	10+	D2-PAK	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung
IR2136JTRPBF	IR	10+	PLCC-32	3-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf
IR2181PBF	IR	10+	DIP8-KARTON	é«ç« ̄åä1/2ç« ̄é©±å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA
IRLZ24NPBF	IR	10+	TO-220	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung
IRF1010EZPBF	IR	10+	TO-220AB	åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî
IRFR4615TRLPBF	IR	10+	D-PAK	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFB4615PBF	IR	10+	TO220	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFR2405TRPBF	IR	2011	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF1503SPBF	IR	2011	TO-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRG4PSC71UDPBF	IR	2011	TO-247	ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2ç®¡ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæç®¡ INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IR2112STRPBF	IR	2011	SOP-16	High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IRLZ44NPBF	IR	2011	TO-220	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung
IRF7406TRPBF	IR	10+	SOP-8	-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel

IRF6623TR1PBF

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