ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRF1010EZPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF1010EZPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4TO-220AB
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/412000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4ç¹å»æ¥æ3/4IRF1010EZPBFçpdfèμæ
  • ç¹å»è ̄¢ä»·
èç³»æ们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF1010EZPBF åçMOSFET Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mOhm, Id = 84 Aî

ä ̧IRF1010EZPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF1010EZPBF IR10+TO-220ABåçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFR4615TRLPBF IR10+D-PAK150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFB4615PBF IR10+TO220150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFR2405TRPBF IR2011TO-25255-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF1503SPBF IR2011TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRG4PSC71UDPBF IR2011TO-247ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IR2112STRPBF IR2011SOP-16High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IRLZ44NPBF IR2011TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung
IRF7406TRPBF IR10+SOP-8-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2104STRPBF IR10+SOP-8Halbbrückentreiber, Einzeleingang plus invertierender Abschaltstift, feste Totzeit von 520 ns in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2104 in einem 8-poligen SOIC im Lieferumfang enthalten
IRAMY20UP60B IR10+PLZ-18Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:18; Serie:MS27505; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses: 15; Zirkulärer Kontakt
IRFR5505TRPBF IR10+TO-252-55-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR5505TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF2804PBF IR10+TO-220æ±1/2è1/2¦MOS管
IRFZ32 IR2010+TO-220TRANSISTOR | MOSFET | N-KANAL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB
IRF7470PBF IR2010+SOP-8HEXFET-Leistungs-MOSFET
IR2113STR IR06+SOP-16High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2113 verpackt in
IR21592STRPBF IR10+SOP16Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592STR mit
IRG4PC40UDPBF IR10+TO-247ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IPS1051LTRPBF IR2009+SOT-223å/åééæºè1/2åçä1/2è3/4¹å1/4å ³ EIN-/ZWEIKANALIGER INTELLIGENTER POWER-LOW-SIDE-SCHALTER
IRGS14C40LPBF IR10+TO-263IGBT mit On-Chip-Gate-Emitter- und Gate-Collector-Klemmen
IRF3205ZPBF IR10+T0-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRF3205ZPBF mit Standardverpackung

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·