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IRLR024NTRPBF
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IRLR024NTRPBF

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IRLR024NTRPBF55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel

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IRF7103TRPBF IR10+SOP-850-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6623TR1PBF IR10+QFNEin 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IR2110STRPBF IR10+SOP-16High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in
IRLL2705PBF IR10+SOT-223HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A )
IRF5800TRPBF IR10+SOT23-6-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung.
IRFS4127TRLPBF IR10+TO-262200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse
IRF3415PBF IR10+TO-220HEXFETåçMOSFET
IRF520NPBF IR10+TO-220100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung
IRF3415SPBF IR10+D2-PAK150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung
IR2136JTRPBF IR10+PLCC-323-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf

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621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,

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IRFS4127TRLPBF IR10+TO-262200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse
IRF3415PBF IR10+TO-220HEXFETåçMOSFET
IRF520NPBF IR10+TO-220100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung
IRF3415SPBF IR10+D2-PAK150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung
IR2136JTRPBF IR10+PLCC-323-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf
IR2181PBF IR10+DIP8-KARTONé«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA
IRLZ24NPBF IR10+TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung
IRF1010EZPBF IR10+TO-220ABåçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî
IRFR4615TRLPBF IR10+D-PAK150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFB4615PBF IR10+TO220150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFR2405TRPBF IR2011TO-25255-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF1503SPBF IR2011TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRG4PSC71UDPBF IR2011TO-247ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IR2112STRPBF IR2011SOP-16High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird
IRLZ44NPBF IR2011TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung
IRF7406TRPBF IR10+SOP-8-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IR2104STRPBF IR10+SOP-8Halbbrückentreiber, Einzeleingang plus invertierender Abschaltstift, feste Totzeit von 520 ns in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2104 in einem 8-poligen SOIC im Lieferumfang enthalten
IRAMY20UP60B IR10+PLZ-18Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:18; Serie:MS27505; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses: 15; Zirkulärer Kontakt
IRFR5505TRPBF IR10+TO-252-55-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR5505TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF2804PBF IR10+TO-220æ±1/2è1/2¦MOS管

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