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IRF3808PBF
| IR | 10+ | TO-220AB | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7103TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 50-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6623TR1PBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IR2110STRPBF
| IR | 10+ | SOP-16 | High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in |
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IRLL2705PBF
| IR | 10+ | SOT-223 | HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A ) |
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IRF5800TRPBF
| IR | 10+ | SOT23-6 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung. |
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IRLR024NTRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFS4127TRLPBF
| IR | 10+ | TO-262 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse |
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IRF3415PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFETåçMOSFET |
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IRF520NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung |
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IRF3415SPBF
| IR | 10+ | D2-PAK | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung |
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IR2136JTRPBF
| IR | 10+ | PLCC-32 | 3-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf |
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IR2181PBF
| IR | 10+ | DIP8-KARTON | é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA |
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IRLZ24NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung |
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IRF1010EZPBF
| IR | 10+ | TO-220AB | åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî |
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IRFR4615TRLPBF
| IR | 10+ | D-PAK | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRFB4615PBF
| IR | 10+ | TO220 | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRFR2405TRPBF
| IR | 2011 | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF1503SPBF
| IR | 2011 | TO-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRG4PSC71UDPBF
| IR | 2011 | TO-247 | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |