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IRF6635TR1PBF
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IRF6635TR1PBF

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  • 产åå称ï1/4Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
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IRF6635TR1PBF Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6635 für die Verwendung mit bleifreiem Löten qualifiziert, geliefert in Band und Rolle 1000 Stück

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IRF6635TR1PBF IR2010+QFNEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

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IRF7416PBF IR2010+SOP-8HEXFETåçMOSFET
IRF5305STRLPBF IR2010+TO-263-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5305STRL mit bleifreier Verpackung
IRG4BC40UPBF IR2010+TO-220ABç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«é NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRL3705NPBF IR10+TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRL3705N mit bleifreier Verpackung
IRFR3910TRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR3910TRLPBF IR10+D-pak100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF640NSTRRPBF IR10+D2PAK200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right
IRLL2705TRPBF IR10+SOT-22355-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6631TRPBF IR10+QFNEin 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IRFR2405TRLPBF IR10+D-pak55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7328TRPBF IR10+SOP-8-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRLL024ZTRPBF IR10+SOT-223æ±1/2è1/2¦MOSFET
GBPC25-06W IR10+DIPGlaspassivierter einphasiger Brückengleichrichter (éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈)
IRFP2907PBF IR10+TO-247æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A)
IRG4PC50SPBF IR10+TO-247ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管 BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
IRF540NSTRLPBF IR10+TO-263100V Næ²éåºæåºç®¡
IRLZ34NSTRLPBF IR10+SOT-26355V Næ²éåºæåºç®¡
IRLR120NTRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRFB3004PBF IR10+TO-24740-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRG4PC50UPBF IR10+SMDç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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