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IRFR3910TRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFR3910TRLPBF
| IR | 10+ | D-pak | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF640NSTRRPBF
| IR | 10+ | D2PAK | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right |
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IRLL2705TRPBF
| IR | 10+ | SOT-223 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6631TRPBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRFR2405TRLPBF
| IR | 10+ | D-pak | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7328TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRLL024ZTRPBF
| IR | 10+ | SOT-223 | æ±1/2è1/2¦MOSFET |
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GBPC25-06W
| IR | 10+ | DIP | Glaspassivierter einphasiger Brückengleichrichter (éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈) |
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IRFP2907PBF
| IR | 10+ | TO-247 | æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A) |
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IRG4PC50SPBF
| IR | 10+ | TO-247 | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管 BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE |
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IRF540NSTRLPBF
| IR | 10+ | TO-263 | 100V Næ²éåºæåºç®¡ |
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IRLZ34NSTRLPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | 55V Næ²éåºæåºç®¡ |
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IRLR120NTRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRFB3004PBF
| IR | 10+ | TO-247 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRG4PC50UPBF
| IR | 10+ | SMD | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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IRF6620TRPBF
| IR | 10+ | SMD | Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRG4RC10SPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 600 V DC-1 kHz (Standard) Diskreter IGBT in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4RC10S mit bleifreier Verpackung |
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IRFP4232PBF
| IR | 10+ | TO-247 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3808PBF
| IR | 10+ | TO-220AB | HEXFET-Leistungs-MOSFET |