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IRF7821PBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IR1168STRPBF |
IR |
2010+ |
200-V-Dual-Smart-High-Speed-SR-Controller auf der Sekundärseite in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse. Wird zur Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs verwendet, die als synchroner Gleichrichter verwendet werden |
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IPS521 |
IR |
2010+ |
å åä¿æ¤é«åä3/4§åçMOSFETå1/4å ³VOLLSTÄNDIG GESCHÜTZTER HIGH-SIDE-POWER-MOSFET-SCHALTER |
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IRF7342TRPBF |
IR |
2010+ |
-55 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7342TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2184PBF |
IR |
2010+ |
Halbbrückentreiber, SoftTurn-On, Einzeleingang plus invertierende Abschaltung, 500 ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2184 in einem bleifreien 8-poligen |
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IRF7606TRPBF |
IR |
2010+ |
-30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRG4BC40SPBF |
IR |
2010+ |
ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçæ åé度 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Standard-Speed-IGBT |
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IRF7809AVTRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7809AVTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRLR3410TRLPBF |
IR |
2010+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR3410TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7507TRPBF |
IR |
2010+ |
20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7507 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2175SPBF |
IR |
2010+ |
线æ§çμæμæåºéæçμè· ̄LINEARER STROMMESS-IC |
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IRF1404STRRPBF |
IR |
2010+ |
40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF1404STRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel rechts |
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IRFZ44NSTRLPBF |
IR |
2010+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFZ44NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF6617TR1PBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive |
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IRF7316TRPBF |
IR |
2010+ |
-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF9530NPBF |
IR |
2010+ |
-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung. |
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IRF8721TRPBF |
IR |
2010+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert |
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IRFP044NPBF |
IR |
2010+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung |
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IR21592SPBF |
IR |
2010+ |
Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592S mit Le |
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PVT312PBF |
IR |
2010+ |
250V 1 Form A Photovoltaik-Relais in einem 6-poligen DIP-Gehäuse; Ähnlich wie PVT312 mit bleifreier Verpackung |
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