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IRF6617TR1PBF
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IRF6617TR1PBF

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IRF6617TR1PBFEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6617 für die Verwendung mit bleifreiem Löten qualifiziert, das in Tape and Reel 1000 Stück geliefert wird

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IRF6617TR1PBF IR2010+LCCEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive

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FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67

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IRF7316TRPBF IR2010+SOP-8.-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF9530NPBF IR2010+TO-220-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung.
IRF8721TRPBF IR2010+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert
IRFP044NPBF IR2010+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IR21592SPBF IR2010+SOP16Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592S mit Le
PVT312PBF IR2010+DIP250V 1 Form A Photovoltaik-Relais in einem 6-poligen DIP-Gehäuse; Ähnlich wie PVT312 mit bleifreier Verpackung
IRF7832PBF IR2010+SOP-8HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRFZ34NSPBF IR2010+TO-263HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRFB4321PBF IR2010+TO-220ABHEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF3007PBF IR2010+TO-220ABHEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF640NSPBF IR2010+TO-263200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NS mit bleifreier Verpackung
IRF7201TRPBF IR2010+SOIC-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7201 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IPS2041LTRPBF IR2010+SOIC-8æºè1/2åçä1/2ä3/4§å1/4å ³INTELLIGENT POWER LOW-SIDE-SCHALTER
SI4410DYTRPBF IR2010+SOIC-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4410DYTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFIZ44NPBF IR2010+TO-220FHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFB3307ZPBF IR2010+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRG4IBC20FDPBF IR2010+TO-220Fç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IRFI4212H-117P IR2010+TO-220F-5æ°åé³é¢MOSFET DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFL4310TRPBF IR2010+SOT223100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRFL4310TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFS4227PBF IR2010+D2-PAKPDP-SCHALTER

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