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IRF3007PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF640NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NS mit bleifreier Verpackung |
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IRF7201TRPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7201 mit Tape-and-Reel-Verpackung |
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IPS2041LTRPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | æºè1/2åçä1/2ä3/4§å1/4å ³INTELLIGENT POWER LOW-SIDE-SCHALTER |
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SI4410DYTRPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4410DYTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFIZ44NPBF
| IR | 2010+ | TO-220F | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFB3307ZPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRG4IBC20FDPBF
| IR | 2010+ | TO-220F | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
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IRFI4212H-117P
| IR | 2010+ | TO-220F-5 | æ°åé³é¢MOSFET DIGITAL AUDIO MOSFET |
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IRFL4310TRPBF
| IR | 2010+ | SOT223 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRFL4310TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFS4227PBF
| IR | 2010+ | D2-PAK | PDP-SCHALTER |
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IRFR9120NPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 2280; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 73; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; Pi |
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IRF5803TRPBF
| IR | 2010+ | SOT23-6 | -40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803TR mit bleifreier Verpackung. |
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IRL520NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRL520NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF3710STRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3710STRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IPS7081PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | é«è3/4¹æºè1/2çμæºå1/4å ³INTELLIGENT POWER HIGH-SIDE-SCHALTER |
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IRF8010PBF
| IR | 2010+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7240TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | -40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse |
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IRF7470TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7470TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Ree |
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IRF7811AVTRPBF
| IR | 2010+ | SOP 8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7811AVTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |