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IRF3007PBF
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IRF3007PBF

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IRF3007PBFHEXFETâ Leistungs-MOSFET

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IRF3007PBF IR2010+TO-220ABHEXFETâ Leistungs-MOSFET

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
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IRF640NSPBF IR2010+TO-263200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NS mit bleifreier Verpackung
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IPS2041LTRPBF IR2010+SOIC-8æºè1/2åçä1/2ä3/4§å1/4å ³INTELLIGENT POWER LOW-SIDE-SCHALTER
SI4410DYTRPBF IR2010+SOIC-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4410DYTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
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IRG4IBC20FDPBF IR2010+TO-220Fç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE
IRFI4212H-117P IR2010+TO-220F-5æ°åé³é¢MOSFET DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFL4310TRPBF IR2010+SOT223100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRFL4310TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
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IRFR9120NPBF IR2010+TO-252LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 2280; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 73; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; Pi
IRF5803TRPBF IR2010+SOT23-6-40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803TR mit bleifreier Verpackung.
IRL520NSTRLPBF IR2010+TO-263100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRL520NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF3710STRLPBF IR2010+TO-263100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3710STRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IPS7081PBF IR2010+TO-220ABé«è3/4¹æºè1/2çμæºå1/4å ³INTELLIGENT POWER HIGH-SIDE-SCHALTER
IRF8010PBF IR2010+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7240TRPBF IR2010+SOP-8-40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse
IRF7470TRPBF IR2010+SOP-840-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7470TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Ree
IRF7811AVTRPBF IR2010+SOP 830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7811AVTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFS4310ZPBF IR2010+TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET

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