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FDD8780 |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éçPowerTrenchâMOSFETç25Vçï1/435Aæ¡ï1/48.5mOhm |
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FDD8778 |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éçPowerTrench MOSFETç25Vçï1/435Aï1/414mohm |
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FDD6680A_NL |
FAIRCHILD |
10+ |
30V N-Kanal PowerTrench MOSFET; ; Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel |
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FDD6676AS_NL |
FAIRCHILD |
10+ |
30V N-Kanal PowerTrench SyncFET; ; Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel |
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FDD3672_NL |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éUltraFETæ²éMOSFET 100Vçï1/444Aï1/428mз |
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FDC654P |
FAIRCHILD |
10+ |
P -æ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管 |
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FDB8896 |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éçPowerTrench MOSFETç30Vçï1/493Aå·ï1/4欧å§5.7 |
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FDB3652TR |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éçPowerTrench MOSFETç100Vçï1/461Aæ¡ï1/416mз |
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FDB045AN08A0 |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éUltraFETæ²éMOSFET 75Vçï1/480Aæ¡ï1/44.5mз |
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FDA8440 |
FAIRCHILD |
10+ |
Næ²éMOSFETççPowerTrenchâ |
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FDA79N15 |
FAIRCHILD |
10+ |
150ä1/4Næ²éMOSFET |
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FDA59N25 |
FAIRCHILD |
10+ |
250V Næ²éMOSFET |
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FDN372S-NL |
FAIRCHILD |
10+ |
åçåºæåºç®¡30V N-Kanal PowerTrench SyncFET |
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IRF7469TRPBF |
IR |
10+ |
40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7469TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF8721PBF |
IR |
10+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF8721PBF mit Standardverpackung |
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IRLR7821TRPBF |
IR |
10+ |
30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR7821TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7309TRPBF |
IR |
10+ |
30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7309TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7220TRPBF |
IR |
10+ |
-12-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7220TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFR9024NPBF |
IR |
10+ |
HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A ) |
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IRF8910TRPBF |
IR |
10+ |
20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung |
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