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IRFR9024NPBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A ) |
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IRF8910TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung |
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IRF7478TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFETçå1/4å ³çμæº |
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IRFS17N20DTRLP
| IR | 10+ | TO-263 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFS17N20DTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF9540NSTRLPBF
| IR | 10+ | TO-263 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9540NS mit bleifreier Verpackung, die auf Tape and Reel Left geliefert wird. |
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IRF7101TR
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen |
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IRG4BH20K-SPBF
| IR | 10+ | D2-PAK | 1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung. |
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IRF7904TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung. |
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IRF3315SPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFR120NPBF
| IR | 10+ | TO-252 | Schnelles Umschalten |
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IRF6795MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRLML5103TRPBF
| IR | 10+ | SOT-23-3 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung |
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IRFR9120NTRLPBF
| IR | 10+ | D PAK | -100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7424TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6215PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF5803D2TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -40V FETKY - MOSFET und Schottky-Diode in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803D2TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
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IRF7805TRPBF
| IR | 10+ | SOP8 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRF6621TR1PBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRF7509TRPBF
| IR | 10+ | MSOP-8 | 30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7509 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7452TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7452TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |