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IRF7534D1TRPBF |
IR |
2010+ |
æ±1/2è1/2¦MOS |
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IRFR3504ZPBF |
IR |
2010+ |
æ±1/2è1/2¦MOS |
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IRF530NSTRLPBF |
IR |
2010+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF530NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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AUIPS7221R |
IR |
2010+ |
Intelligenter Netzschalter Einkanaliger Low-Side-Treiber in einem SOT-223-Gehäuse |
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IRL530NPBF |
IR |
2010+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRL530N mit bleifreier Verpackung |
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IRF6620TR1PBF |
IR |
2010+ |
Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRF7311TRPBF |
IR |
2010+ |
20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7311TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2111STRPBF |
IR |
2010+ |
Halbbrückentreiber, feste 650ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2111 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IR2110SPBF |
IR |
2010+ |
é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱 20 Zeichen x 4 Zeilen, 5x7 Punktmatrix-Zeichen und Cursor |
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IRF6635TR1PBF |
IR |
2010+ |
Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRF7416PBF |
IR |
2010+ |
HEXFETåçMOSFET |
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IRG4BC40UPBF |
IR |
2010+ |
ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«é NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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IRL3705NPBF |
IR |
10+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRL3705N mit bleifreier Verpackung |
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IRFR3910TRPBF |
IR |
10+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFR3910TRLPBF |
IR |
10+ |
100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRLL2705TRPBF |
IR |
10+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6631TRPBF |
IR |
10+ |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRFR2405TRLPBF |
IR |
10+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7328TRPBF |
IR |
10+ |
-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFP2907PBF |
IR |
10+ |
æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A) |
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