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IRF6635TR1PBF
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IRF6635TR1PBF

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  • 产ååç§°ï1/4Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
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IRF6635TR1PBFEin 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6635 für die Verwendung mit bleifreiem Löten qualifiziert, geliefert in Band und Rolle 1000 Stück

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IRF6635TR1PBF IR2010+QFNEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom

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KEYSTONE26 Keystone Elektronik24+è¿æ¥å ̈ÖSE 0,187" MESSING VERZINNT
KPSE06E14-19SA206 ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular SKT 19 POS Crimp ST Kabelhalterung 19 Klemme 1 Port
KPSE06J14-19P ITT24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER
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Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
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PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
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9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
9001-18481C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
CIR013106T01031819SCNP0406 ITT Interconnect-Lösungen2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
CIR013106T01031819SCYP0406 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
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SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+ç»§çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
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IRF7416PBF IR2010+SOP-8HEXFETåçMOSFET
IRF5305STRLPBF IR2010+TO-263-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5305STRL mit bleifreier Verpackung
IRG4BC40UPBF IR2010+TO-220ABç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«é NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRL3705NPBF IR10+TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRL3705N mit bleifreier Verpackung
IRFR3910TRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR3910TRLPBF IR10+D-pak100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3910TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF640NSTRRPBF IR10+D2PAK200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NSTRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel Right
IRLL2705TRPBF IR10+SOT-22355-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SOT-223-Gehäuse; Ähnlich wie IRLL2705TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6631TRPBF IR10+QFNEin 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IRFR2405TRLPBF IR10+D-pak55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7328TRPBF IR10+SOP-8-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRLL024ZTRPBF IR10+SOT-223æ±1/2è1/2¦MOSFET
GBPC25-06W IR10+DIPGlaspassivierter einphasiger Brückengleichrichter (éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈)
IRFP2907PBF IR10+TO-247æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A)
IRG4PC50SPBF IR10+TO-247ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管 BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
IRF540NSTRLPBF IR10+TO-263100V Næ²éåºæåºç®¡
IRLZ34NSTRLPBF IR10+SOT-26355V Næ²éåºæåºç®¡
IRLR120NTRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRFB3004PBF IR10+TO-24740-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRG4PC50UPBF IR10+SMDç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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