IRF6631TRPBF

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äº§ååç§°ï1/4Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
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IRF6631TRPBFEin 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6631 für die Verwendung mit bleifreiem Lot qualifiziert, das in Band und Rolle geliefert wird 4800 Stück

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IRF6631TRPBF	IR	10+	QFN	Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 57 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie

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CU-U-201-GE	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	ç»§çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500	æ¬§ç±³è	24+	DIP	è£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4çº¿è1/2'ï1/4 \| æ¬§ç±³è éç»ç1/4 T/C çº¿ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4çº¿è1/2"
ET-JL06-18	JAE Elektronik	2023+	å·¥å ·	æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F	TT	23+	2512	Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	DIP	Kondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2	æ²å°ç¹å®	24+	DIP	è1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	çμå®¹	Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN	OMRON Corporation	24+	æé®	ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437	TE Connectivity	24+	è¿æ¥å ̈	Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8	Vitrohm	24+	DIP	Widerstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000	Amphenol Positronic	23+	DIP	©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11	å3/4·å1/2E+E	24+	æ ̈¡å	å·åæ£æμä»ª

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IRFR2405TRLPBF	IR	10+	D-pak	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7328TRPBF	IR	10+	SOP-8	-30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7328TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRLL024ZTRPBF	IR	10+	SOT-223	æ±1/2è1/2¦MOSFET
GBPC25-06W	IR	10+	DIP	Glaspassivierter einphasiger Brückengleichrichter (éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈)
IRFP2907PBF	IR	10+	TO-247	æ±1/2è1/2¦MOS (VDSS = 75V , RDS(on) = 4.5mã , ID = 209A)
IRG4PC50SPBF	IR	10+	TO-247	ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2ç®¡ BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
IRF540NSTRLPBF	IR	10+	TO-263	100V Næ²éåºæåºç®¡
IRLZ34NSTRLPBF	IR	10+	SOT-263	55V Næ²éåºæåºç®¡
IRLR120NTRPBF	IR	10+	TO-252	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRFB3004PBF	IR	10+	TO-247	40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRG4PC50UPBF	IR	10+	SMD	ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2ç®¡IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRF6620TRPBF	IR	10+	SMD	Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
IRG4RC10SPBF	IR	10+	TO-252	600 V DC-1 kHz (Standard) Diskreter IGBT in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4RC10S mit bleifreier Verpackung
IRFP4232PBF	IR	10+	TO-247	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3808PBF	IR	10+	TO-220AB	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7103TRPBF	IR	10+	SOP-8	50-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6623TR1PBF	IR	10+	QFN	Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IR2110STRPBF	IR	10+	SOP-16	High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in
IRLL2705PBF	IR	10+	SOT-223	HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A )
IRF5800TRPBF	IR	10+	SOT23-6	-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung.

IRF6631TRPBF

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