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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF IR 10+ åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî æåºå è ̄¢ä»·
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF IR 10+ 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse æåºå è ̄¢ä»·
IRFB4615PBF IRFB4615PBF IR 10+ 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse æåºå è ̄¢ä»·
IR2112STRPBF IR2112STRPBF IR 2011 High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird æåºå è ̄¢ä»·
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF IR 2011 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung æåºå è ̄¢ä»·
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF IR 10+ -30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel æåºå è ̄¢ä»·
IRAMY20UP60B IRAMY20UP60B IR 10+ Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:18; Serie:MS27505; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses: 15; Zirkulärer Kontakt æåºå è ̄¢ä»·
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF IR 10+ -55-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR5505TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel æåºå è ̄¢ä»·
IRF2804PBF IRF2804PBF IR 10+ æ±1/2è1/2¦MOS管 æåºå è ̄¢ä»·
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF IRåè£ 2010+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IRFZ32 IRFZ32 IR 2010+ TRANSISTOR | MOSFET | N-KANAL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB æåºå è ̄¢ä»·
IRF7470PBF IRF7470PBF IR 2010+ HEXFET-Leistungs-MOSFET æåºå è ̄¢ä»·
IR21592STRPBF IR21592STRPBF IR 10+ Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592STR mit æåºå è ̄¢ä»·
IRG4PC40UDPBF IRG4PC40UDPBF IR 10+ ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæç®¡ INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE æåºå è ̄¢ä»·
IPS1051LTRPBF IPS1051LTRPBF IR 2009+ å/åééæºè1/2åçä1/2è3/4¹å1/4å ³ EIN-/ZWEIKANALIGER INTELLIGENTER POWER-LOW-SIDE-SCHALTER æåºå è ̄¢ä»·
IRGS14C40LPBF IRGS14C40LPBF IR 10+ IGBT mit On-Chip-Gate-Emitter- und Gate-Collector-Klemmen æåºå è ̄¢ä»·
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF IR 10+ 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRF3205ZPBF mit Standardverpackung æåºå è ̄¢ä»·
IPD70N03S4L-04-11 IPD70N03S4L-04-11 INFINEON 09+ N-Kanal-MOSFETs æåºå è ̄¢ä»·
IPD50P04P4L-11 IPD50P04P4L-11 INFINEON 09+ N-Kanal-MOSFETs æåºå è ̄¢ä»·
IPD50P03P4L-11 IPD50P03P4L-11 INFINEON 09+ N-Kanal-MOSFETs æåºå è ̄¢ä»·