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IRF1010EZPBF |
IR |
10+ |
åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî |
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IRFR4615TRLPBF |
IR |
10+ |
150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRFB4615PBF |
IR |
10+ |
150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IR2112STRPBF |
IR |
2011 |
High- und Low-Side-Treiber, Abschalteingang in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2112 in einem 16-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IRLZ44NPBF |
IR |
2011 |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ44NPBF mit Standardverpackung |
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IRF7406TRPBF |
IR |
10+ |
-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7406TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRAMY20UP60B |
IR |
10+ |
Rundsteckverbinder; Anzahl der Kontakte:18; Serie:MS27505; Körpermaterial: Aluminium; Anschluss: Crimpen; Größe des Steckergehäuses: 15; Zirkulärer Kontakt |
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IRFR5505TRPBF |
IR |
10+ |
-55-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR5505TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF2804PBF |
IR |
10+ |
æ±1/2è1/2¦MOS管 |
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IRFZ34NPBF |
IRåè£ |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFZ32 |
IR |
2010+ |
TRANSISTOR | MOSFET | N-KANAL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
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IRF7470PBF |
IR |
2010+ |
HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IR21592STRPBF |
IR |
10+ |
Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592STR mit |
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IRG4PC40UDPBF |
IR |
10+ |
ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæç®¡ INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
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IPS1051LTRPBF |
IR |
2009+ |
å/åééæºè1/2åçä1/2è3/4¹å1/4å ³ EIN-/ZWEIKANALIGER INTELLIGENTER POWER-LOW-SIDE-SCHALTER |
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IRGS14C40LPBF |
IR |
10+ |
IGBT mit On-Chip-Gate-Emitter- und Gate-Collector-Klemmen |
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IRF3205ZPBF |
IR |
10+ |
55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRF3205ZPBF mit Standardverpackung |
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IPD70N03S4L-04-11 |
INFINEON |
09+ |
N-Kanal-MOSFETs |
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IPD50P04P4L-11 |
INFINEON |
09+ |
N-Kanal-MOSFETs |
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IPD50P03P4L-11 |
INFINEON |
09+ |
N-Kanal-MOSFETs |
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