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IRF7478TRPBF	IR	10+	MOSFETçå1/4å ³çμæº	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFS17N20DTRLP	IR	10+	200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFS17N20DTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF9540NSTRLPBF	IR	10+	-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9540NS mit bleifreier Verpackung, die auf Tape and Reel Left geliefert wird.	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7101TR	IR	10+	20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen	æåºå	è ̄¢ä»·
IRG4BH20K-SPBF	IR	10+	1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung.	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7904TRPBF	IR	10+	30-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung.	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF3315SPBF	IR	10+	HEXFET-Leistungs-MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFR120NPBF	IR	10+	Schnelles Umschalten	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6795MTR1PBF	IR	10+	Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on	æåºå	è ̄¢ä»·
IRLML5103TRPBF	IR	10+	-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFR9120NTRLPBF	IR	10+	-100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7424TRPBF	IR	10+	30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6215PBF	IR	10+	HEXFETâ Leistungs-MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF5803D2TRPBF	IR	10+	-40V FETKY - MOSFET und Schottky-Diode in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803D2TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7805TRPBF	IR	10+	Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6621TR1PBF	IR	10+	Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7509TRPBF	IR	10+	30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7509 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7452TRPBF	IR	10+	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7452TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF7204TRPBF	IR	10+	-20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7204TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle	æåºå	è ̄¢ä»·
IRLR024N	IR	10+	HEXFET Power MOSFET (HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)	æåºå	è ̄¢ä»·