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IRF6795MTR1PBF
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IRF6795MTR1PBF

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  • 产åå称ï1/4Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
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IRF6795MTR1PBFEin 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten.

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IRF6795MTR1PBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

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IRLML5103TRPBF IR10+SOT-23-3-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung
IRFR9120NTRLPBF IR10+D PAK-100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7424TRPBF IR10+SOP-830-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6215PBF IR10+TO-220HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF5803D2TRPBF IR10+SOP-8-40V FETKY - MOSFET und Schottky-Diode in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803D2TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle
IRF7805TRPBF IR10+SOP8Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IRF6621TR1PBF IR10+QFNEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IRF7509TRPBF IR10+MSOP-830V Dual N- und P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7509 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7452TRPBF IR10+SOP-8100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7452TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRF7204TRPBF IR10+SOP-8-20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7204TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle
IRLR024N IR10+TO-252HEXFET Power MOSFET (HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFB42N20DPBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR2705TRLPBF IR10+TO-25255-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2705TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRFR2407PBF IR10+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFP4321PBF IR10+TO-247HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFS38N20DPBF IR10+D2-PAKHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7205TRPBF IR10+SOP-8-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7205TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFU220NPBF IR10+TO-251HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF8707PBF IR10+SOP8HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFS59N10DPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET

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