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IRFR120NPBFSchnelles Umschalten
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IRF9540NSTRLPBF
| IR | 10+ | TO-263 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9540NS mit bleifreier Verpackung, die auf Tape and Reel Left geliefert wird. |
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IRF7101TR
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen |
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IRG4BH20K-SPBF
| IR | 10+ | D2-PAK | 1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung. |
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IRF7904TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung. |
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IRF3315SPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF6795MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRLML5103TRPBF
| IR | 10+ | SOT-23-3 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung |
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IRFR9120NTRLPBF
| IR | 10+ | D PAK | -100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7424TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6215PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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ADIS16575-2BMLZ
| INSERAT | 25+ | Modul | 6 DOF Prec IMU, 8 g (450 DPS D) |
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N/MS3108B20-4P
| JAE Elektronik | 2025+ | è¿æ¥å ̈ | Rundsteckverbinder, 4 Kontakt(e), Kunststoff, Stecker, Lötanschluss, Stecker |
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62IN-18F-10-6S
| Amphenol Corporation | 2025+ | è¿æ¥å ̈ | Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10 |
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NLS-N-BK-C70-M40BEPN250
| ITT | 24+ | è¿æ¥å ̈ | NLS-N-BK-C70-M40B EPN250 |
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V93BR
| Mors Smitt | 24+ | è¿æ¥å ̈ | V93BRæåº§-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå 裮8æ |
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V17-D
| MORSSMITT | 24+ | ç»§çμå ̈ | ç»§çμå ̈æåº§æå1/4¹ç°§ç« ̄å |
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VGE1TS181900L
| SOURIAU-SONNENBANK | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Zirkuläre MIL Spec Endgehäuse BACKSHELL SZ18 |
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KEYSTONE26
| Keystone Elektronik | 24+ | è¿æ¥å ̈ | ÖSE 0,187" MESSING VERZINNT |
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KPSE06E14-19SA206
| ITT | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Conn Circular SKT 19 POS Crimp ST Kabelhalterung 19 Klemme 1 Port |
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KPSE06J14-19P
| ITT | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER |
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W-1-005-4STUD
| T&M | 24+ | DIP | SERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen |
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ABBH2214SDAM
| AB Steckverbinder | 2024+ | è¿æ¥å ̈ | è¿æ¥å ̈å°3/4管 |
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Nr. C193A/24EV-U1
| æ²å°ç¹å® | 25+ | DIP | Spannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä» |
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Nr. C195A/24EC-U2
| æ²å°ç¹å® | 25+ | DIP | æ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä» |
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D-U204-E
| Mors Smitt | 24+ | DIP | ç¬æ¶ç»§çμå ̈ |
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PW620-18d/2S/R/KS135
| FSG | 24+ | DIP | Stellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈ |
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ST1-DC12V-F
| Elektronische Komponenten von Panasonic | 24+ | DIP | Leistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT |
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MER1S1505SC
| Murata Power Lösungen | 24+ | DIP | DC DC WANDLER 5V 1W |
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P783-Q24-S5-S
| CUI Inc | 24+ | DIP | DC DC WANDLER 5V 15W |
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9001-18321C00A
| Oupiin | 24+ | è¿æ¥å ̈ | DIN41612 Half R Buchse 48 Pin |
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IRF6795MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRLML5103TRPBF
| IR | 10+ | SOT-23-3 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung |
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IRFR9120NTRLPBF
| IR | 10+ | D PAK | -100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7424TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6215PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF5803D2TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -40V FETKY - MOSFET und Schottky-Diode in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803D2TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
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IRF7805TRPBF
| IR | 10+ | SOP8 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRF6621TR1PBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRF7509TRPBF
| IR | 10+ | MSOP-8 | 30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7509 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7452TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7452TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRF7204TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7204TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
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IRLR024N
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET Power MOSFET (HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRFB42N20DPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR2705TRLPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2705TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRFR2407PBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFP4321PBF
| IR | 10+ | TO-247 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFS38N20DPBF
| IR | 10+ | D2-PAK | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7205TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7205TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFU220NPBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF8707PBF
| IR | 10+ | SOP8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |