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IRF3710STRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3710STRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IPS7081PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | é«è3/4¹æºè1/2çμæºå1/4å ³INTELLIGENT POWER HIGH-SIDE-SCHALTER |
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IRF8010PBF
| IR | 2010+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7240TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | -40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse |
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IRF7470TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7470TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Ree |
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IRF7811AVTRPBF
| IR | 2010+ | SOP 8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7811AVTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFS4310ZPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF9Z34NSTRLPBF
| IR | 2010+ | D2-PAK | -55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z34NSTRL mit bleifreier Verpackung |
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IR2101STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | High- und Low-Side-Treiber, nicht invertierende Eingänge in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse |
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IRLZ34NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ein IRLZ34NPBF mit Standardverpackung |
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IRF7534D1TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | æ±1/2è1/2¦MOS |
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IRFR3504ZPBF
| IR | 2010+ | D-pak | æ±1/2è1/2¦MOS |
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IRF530NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF530NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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AUIPS7221R
| IR | 2010+ | TO-220 | Intelligenter Netzschalter Einkanaliger Low-Side-Treiber in einem SOT-223-Gehäuse |
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IRL530NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRL530N mit bleifreier Verpackung |
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IRF6620TR1PBF
| IR | 2010+ | SMD | Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |
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IRF7311TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7311TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2111STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Halbbrückentreiber, feste 650ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2111 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IR2110SPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | é«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱 20 Zeichen x 4 Zeilen, 5x7 Punktmatrix-Zeichen und Cursor |
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IRF6635TR1PBF
| IR | 2010+ | QFN | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 180 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom |