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PSMN6R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V |
PH8030L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH4530L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-66 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH5330E
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN3R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN2R5-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN2R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN5R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH4830L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH4330L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN4R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH3830L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN3R5-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH3330L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PSMN059-150Y
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH20100S
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH2525L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH4025L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH5525L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
PH6325L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |