| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
PSMN6R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V |
|
PH8030L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4530L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-66 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH5330E
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN3R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN2R5-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN2R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN5R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4830L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4330L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN4R0-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH3830L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN3R5-30YL
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH3330L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN059-150Y
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH20100S
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH2525L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4025L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH5525L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH6325L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |