| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF9910PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete SO-8; Similar a IRF9910TR con empaques sin plomo |
|
IRF8910PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET |
|
IRF8915PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete SO-8; Similar a IRF7331TR con empaque sin plomo en cinta y carrete |
|
IRF8915TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete SO-8; Similar a IRF7331TR con empaque sin plomo en cinta y carrete |
|
IRF7331PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete SO-8; Similar a IRF7331TR con empaque sin plomo en cinta y carrete |
|
IRF7311PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET |
|
IRF7301TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET |
|
IRF7301PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET |
|
IRF7530TRPBF
| IR | 10+ | MICRO8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete Micro 8; Similar a IRF7530 con empaques sin plomo |
|
IRF7530PBF
| IR | 10+ | MICRO8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete Micro 8; Similar a IRF7530 con empaques sin plomo |
|
IRF7507PBF
| IR | 10+ | MICRO8 | N-Channel HEXFET Power MOSFET(Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
|
IRF7601TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | N-Channel HEXFET Power MOSFET(Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
|
IRF7601PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | N-Channel HEXFET Power MOSFET(Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
|
IRF7501TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete Micro 8; Similar a la IRF7501TR con envases sin plomo |
|
IRLMS1902TRPBF
| IR | 10+ | SOT-23 | MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal de 20 V en un paquete Micro 3; Similar a IRLML2502 con cinta adhesiva y carrete y empaque sin plomo |
|
IRLU3717PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | MOSFET de potencia HEXFET |
|
IRFU3711ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | Diodo Zener; Aplicación: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,2 a 5,5; Condición Iz a Vz (mA): 5; C (pF) máx.: -; Condición VR en C (V): ESD (kV) min: |
|
IRFU3704ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal de 20 V en un paquete I-Pak; Similar a IRFU3704Z con empaques sin plomo |
|
IRLU3715ZPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
|
IRFU3711PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |