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IRFU3711ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,2 bis 5,5; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min: |
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IRFU3704ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFU3704Z mit bleifreier Verpackung |
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IRLU3715ZPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRFU3711PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRLU3715PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRLU3714ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRLU3714PBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRFU3704PBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFU3706PBF
| IR | 10+ | TO-251 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFU3706 mit bleifreier Verpackung |
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IRF6100PBF
| IR | 10+ | MICRO-4 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR3717TRLPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR3717TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR3717PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR3717TRRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFR3711ZTRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min: |
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IRFR3711ZTRLPBF
| IR | 10+ | TO-252 | Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min: |
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IRFR3711ZTRRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min: |
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IRFR3711ZPBF
| IR | 10+ | TO-252 | Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min: |
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IRFR3704ZTRRPBF
| IR | 10+ | TO252 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3704Z mit bleifreier Verpackung |
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IRFR3704ZTRLPBF
| IR | 10+ | TO252 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3704Z mit bleifreier Verpackung |