IRF7501TRPBF

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äº§ååç§°ï1/4MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete Micro 8; Similar a la IRF7501TR con envases sin plomo
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å°è£ ï1/4SOP-8
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IRF7501TRPBFMOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete Micro 8; Similar a la IRF7501TR con envases sin plomo

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IRF7501TRPBF	IR	10+	SOP-8	MOSFET de potencia HEXFET de doble canal N de 20 V en un paquete Micro 8; Similar a la IRF7501TR con envases sin plomo

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621N-18F-10-6S	Corporación Amphenol	24+	è¿æ¥å ̈	Conector circular Conector macho tamaño 10
LV100-4000/SP6	è±å§	24+	ä1/4 æå ̈	çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	relé - Enchufable, 4 polos, bobina de CA
TDB4-U204-C	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	å»¶æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0	Conectores AB	23+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0	Conectores AB	23+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0	Conectores AB	23+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00	Conectores AB	24+	è¿æ¥å ̈	åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æåº§, 12 è§¦ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P	ABB	24+	ååå ̈	Transformador monofásico de control y aislamiento
C25-1AX-H13-N-HB-L	HAIMOOO	24+	æ§å¶ææ	æ§å¶ææ
F3069F25V	Renesas	23+	QFP100	IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5	LÓGICA DE DATOS	22+	ZAMBULLIDA	Sensores fotoeléctricos
M393A8G40BB4-CWE	Samsung (Estados Unidos)	21+	BGA	Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F)	Toshiba	21+	ZAMBULLIDA	Optoacoplador DC-IN Transistor de 1 canal con base DC-OUT PDIP de 8 pines
D-U204-ELK	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28	SOURIAU-SUNBANK	2023+	è¿æ¥å ̈	Contactos circulares estándar Contacto de zócalo de crimpado 16-20 AWG
CM300DY-24J	Mitsubishi	2021+	æ ̈¡å	Mitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24 años	Mitsubishi	2021+	æ ̈¡å	Mitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S	Operaciones industriales de Amphenol	24+	è¿æ¥å ̈	COPA DE SOLDADURA CONN RCPT FMALE 6POS
KP02A14-15S	Corporación Amphenol	24+	è¿æ¥å ̈	Conector circular, receptáculo, tamaño 14, 15 posiciones, caja, gama de productos:serie pt,

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IRLMS1902TRPBF	IR	10+	SOT-23	MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal de 20 V en un paquete Micro 3; Similar a IRLML2502 con cinta adhesiva y carrete y empaque sin plomo
IRLU3717PBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET
IRFU3711ZPBF	IR	10+	TO-251	Diodo Zener; Aplicación: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,2 a 5,5; Condición Iz a Vz (mA): 5; C (pF) máx.: -; Condición VR en C (V): ESD (kV) min:
IRFU3704ZPBF	IR	10+	TO-251	MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal de 20 V en un paquete I-Pak; Similar a IRFU3704Z con empaques sin plomo
IRLU3715ZPBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRFU3711PBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLU3715PBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLU3714ZPBF	IR	10+	TO-251	MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLU3714PBF	IR	10+	TO-251	MOSFET de potencia HEXFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRFU3704PBF	IR	10+	TO-251	MOSFET de potencia HEXFET
IRFU3706PBF	IR	10+	TO-251	MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal de 20 V en un paquete I-Pak; Similar a IRFU3706 con empaques sin plomo
IRF6100PBF	IR	10+	MICRO-4	MOSFET de potencia HEXFET
IRLR3717TRLPBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET
IRLR3717TRPBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET
IRLR3717PBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET
IRLR3717TRRPBF	IR	10+	SOT-263	MOSFET de potencia HEXFET
IRFR3711ZTRPBF	IR	10+	TO-252	Diodo Zener; Aplicación: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 a 5,3; Condición Iz a Vz (mA): 5; C (pF) máx.: -; Condición VR en C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRLPBF	IR	10+	TO-252	Diodo Zener; Aplicación: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 a 5,3; Condición Iz a Vz (mA): 5; C (pF) máx.: -; Condición VR en C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRRPBF	IR	10+	TO-252	Diodo Zener; Aplicación: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 a 5,3; Condición Iz a Vz (mA): 5; C (pF) máx.: -; Condición VR en C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZPBF	IR	10+	TO-252	Diodo Zener; Aplicación: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 a 5,3; Condición Iz a Vz (mA): 5; C (pF) máx.: -; Condición VR en C (V): ESD (kV) min:

IRF7501TRPBF

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