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IRLMS1902TRPBF
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IRLMS1902TRPBF

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  • 1/4Micro 3パッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。テープ&リールと鉛フリー包装のIRLML2502に似ています
  • 1/4IR関連
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IRLMS1902TRPBF Micro 3パッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。テープ&リールと鉛フリー包装のIRLML2502に似ています

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IRF1902TRPBF IR関連10+SOP-8SO-8パッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。テープとリールの鉛フリー包装のIRF1902TRに似ています
IRLMS1902TRPBF IR関連10+SOT-23Micro 3パッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。テープ&リールと鉛フリー包装のIRLML2502に似ています

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AB0521001412PN00 ABコネクタ24+è¿æ¥å ̈AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABBの24+ååå ̈単相制御および絶縁変圧器
C25-1AX-H13-N-HB-L ハイムー24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V ルネサス23+QFP100型IC MCU 16BIT 512KB フラッシュ 100QFP
S3T-R-F5 データロジック22+ディップ光電センサ
M393A8G40BB4-CWE サムスン21+BGAのサムスン64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) 東芝21+ディップフォトカプラ DC-IN 1-CH トランジスタ、ベース DC-OUT 8 ピン PDIP 付き
D-U204-エルク モース・スミット24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 スリオサンバンク2023+è¿æ¥å ̈標準丸型端子 圧着ソケット端子 16-20 AWG
CM300DY-24J 三菱2021+æ ̈¡å三菱電機 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y 三菱2021+æ ̈¡å三菱電機 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations(アンフェノール・インダストリアル・オペレーション24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6 極はんだカップ
KP02A14-15S アンフェノール株式会社24+è¿æ¥å ̈丸型コネクタ、レセプタクル、サイズ14、15極、ボックス、製品ラインアップ:Ptシリーズ、
U-マルチリンクFX NXPの24+・NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITTの24+è¿æ¥å ̈ConnサーキュラーPIN 4 POSはんだSTボックスマウント4端子1ポート
HSC1008R2J テ24+ディップHSCファミリーのアルミニウムハウジングパワー抵抗器75W-500Wの散逸能力、金アルマイト処理、および2つの取り付けフランジ。
27914-30T12 ITTの2023+è¿æ¥å ̈端子寸法 - オスF80クリンプ
AF8/WA27F ダニエルズ・マニュファクチャリング・コーポレーション(DMC)24+・DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMFの23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR ビシェイ社24+ディップRES 39.2 Ω 10W 1% WW アキシャル

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IRLU3717PBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET
IRFU3711ZPBF IR関連10+TO-251ツェナーダイオード;アプリケーション:一般;Pd(mW):400;Vz(V):5.2〜5.5;Vzでの条件Iz(mA):5;C(pF)最大:-;C(V)でのVR条件:ESD(kV)以上:
IRFU3704ZPBF IR関連10+TO-251I-Pakパッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。鉛フリー包装のIRFU3704Zと同様
IRLU3715ZPBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET(VDSS=20V、RDS(on)max=20mã、ID=36A)
IRFU3711PBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET(VDSS=20V、RDS(on)max=20mã、ID=36A)
IRLU3715PBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET(VDSS=20V、RDS(on)max=20mã、ID=36A)
IRLU3714ZPBF IR関連10+TO-251HEXFETパワーMOSFET(VDSS=20V、RDS(on)max=20mã、ID=36A)
IRLU3714PBF IR関連10+TO-251HEXFETパワーMOSFET(VDSS=20V、RDS(on)max=20mã、ID=36A)
IRFU3704PBF IR関連10+TO-251HEXFETパワーMOSFET
IRFU3706PBF IR関連10+TO-251I-Pakパッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。鉛フリー包装のIRFU3706と同様
IRF6100PBF IR関連10+マイクロ-4HEXFETパワーMOSFET
IRLR3717TRLPBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET
IRLR3717TRPBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET
IRLR3717PBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET
IRLR3717TRRPBF IR関連10+SOT-263HEXFETパワーMOSFET
IRFR3711ZTRPBF IR関連10+TO-252ツェナーダイオード;アプリケーション:一般;Pd(mW):400;Vz(V):5.1〜5.3;Vzでの条件Iz(mA):5;C(pF)最大:-;C(V)でのVR条件:ESD(kV)以上:
IRFR3711ZTRLPBF IR関連10+TO-252ツェナーダイオード;アプリケーション:一般;Pd(mW):400;Vz(V):5.1〜5.3;Vzでの条件Iz(mA):5;C(pF)最大:-;C(V)でのVR条件:ESD(kV)以上:
IRFR3711ZTRRPBF IR関連10+TO-252ツェナーダイオード;アプリケーション:一般;Pd(mW):400;Vz(V):5.1〜5.3;Vzでの条件Iz(mA):5;C(pF)最大:-;C(V)でのVR条件:ESD(kV)以上:
IRFR3711ZPBF IR関連10+TO-252ツェナーダイオード;アプリケーション:一般;Pd(mW):400;Vz(V):5.1〜5.3;Vzでの条件Iz(mA):5;C(pF)最大:-;C(V)でのVR条件:ESD(kV)以上:
IRFR3704ZTRRPBF IR関連10+に252D-Pakパッケージの20VシングルNチャネルHEXFETパワーMOSFET。鉛フリー包装のIRFR3704Zと同様

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