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IRF7601PBF
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IRF7601PBF

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IRF7601PBFN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)

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IRF7601PBF IR10+SOT-263N-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

IRåç产åæ ̈è


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IRF7501TRPBF IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF7501TR mit bleifreier Verpackung
IRLMS1902TRPBF IR10+SOT-2320-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 3-Gehäuse; Ähnlich wie IRLML2502 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung
IRLU3717PBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFU3711ZPBF IR10+TO-251Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,2 bis 5,5; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFU3704ZPBF IR10+TO-25120-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFU3704Z mit bleifreier Verpackung
IRLU3715ZPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRFU3711PBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLU3715PBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLU3714ZPBF IR10+TO-251HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRLU3714PBF IR10+TO-251HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A )
IRFU3704PBF IR10+TO-251HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFU3706PBF IR10+TO-25120-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFU3706 mit bleifreier Verpackung
IRF6100PBF IR10+MICRO-4HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3717TRLPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3717TRPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3717PBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3717TRRPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR3711ZTRPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRLPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:
IRFR3711ZTRRPBF IR10+TO-252Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,1 bis 5,3; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min:

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