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IRF7301TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7301PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7530TRPBF
| IR | 10+ | MICRO8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7530 mit bleifreier Verpackung |
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IRF7530PBF
| IR | 10+ | MICRO8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7530 mit bleifreier Verpackung |
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IRF7507PBF
| IR | 10+ | MICRO8 | N-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF7601TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | N-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF7601PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | N-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRF7501TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF7501TR mit bleifreier Verpackung |
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IRLMS1902TRPBF
| IR | 10+ | SOT-23 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 3-Gehäuse; Ähnlich wie IRLML2502 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung |
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IRLU3717PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFU3711ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | Zener-Diode; Anwendung: Allgemein; Pd (mW): 400; Vz (V): 5,2 bis 5,5; Zustand Iz bei Vz (mA): 5; C (pF) max.: -; Bedingung VR bei C (V): ESD (kV) min: |
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IRFU3704ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFU3704Z mit bleifreier Verpackung |
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IRLU3715ZPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRFU3711PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRLU3715PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRLU3714ZPBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRLU3714PBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mã , ID = 36A ) |
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IRFU3704PBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFU3706PBF
| IR | 10+ | TO-251 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFU3706 mit bleifreier Verpackung |
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IRF6100PBF
| IR | 10+ | MICRO-4 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |