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IPB70N04S3-07
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IPB70N04S3-07

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IPB70N04S3-07 OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
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Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
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RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
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4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
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IPB180N06S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-00 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
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