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IPB70N04S4-06
| INFINEON | 10+ | TO263-3 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB70N04S3-07
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-3 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB50N10S3L-16
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-3 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB47N10SL-26
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-3 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB47N10S-33
| INFINEON | 10+ | TO263-3-2 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB45P03P4L-11
| INFINEON | 10+ | TO-263 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB45N06S4L-08
| INFINEON | 10+ | TO-263 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB45N06S4-09
| INFINEON | 10+ | D PAK | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB45N06S3L-13
| INFINEON | 10+ | TO263-3-2 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB45N06S3-16
| INFINEON | 10+ | TO263-3-2 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB45N04S4L-08
| INFINEON | 10+ | TO263-3-2 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB25N06S3L-22
| INFINEON | 10+ | TO263-3-2 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB25N06S3-25
| INFINEON | 10+ | TO-263 | OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor |
IPB22N03S4L-15
| INFINEON | 10+ | TO-263 | Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
IPB180N06S4-H1
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
IPB180N04S4-H0
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
IPB180N04S4-00
| INFINEON | 10+ | TO-263 | Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
IPB180N04S3-02
| INFINEON | 10+ | TO-263 | Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R |
IPB180N03S4L-H0
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |
IPB180N03S4L-01
| INFINEON | 10+ | PG-TO263-7- | OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor |