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IPB70N10S3L-12
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IPB70N10S3L-12

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  • 产åå称ï1/4OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
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IPB70N10S3L-12  OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor

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ISL97636 INTERSIL09+DIPISL97636, 8ééLED驱å ̈å ̈,8-Kanal-LED-Treiber
ISL97635A INTERSIL07+EINTUNKENISL97635A,SMBus6ééLED驱å ̈å ̈,SMBus 6-Kanal LED-Treiber
ISL97635 INTERSIL07+EINTUNKENISL97635, SMBus8ééLED驱å ̈å ̈,SMBus 8-Kanal LED-Treiber
IPB77N06S2-12 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB70N10SL-16 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB70N10S3-12 INFINEON10+TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB70N04S4-06 INFINEON10+TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB70N04S3-07 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB50N10S3L-16 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB47N10SL-26 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor

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Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPB70N10S3-12 INFINEON10+TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB70N04S4-06 INFINEON10+TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB70N04S3-07 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB50N10S3L-16 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB47N10SL-26 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB47N10S-33 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45P03P4L-11 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S4L-08 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S4-09 INFINEON10+D PAKOptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S3L-13 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S3-16 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N04S4L-08 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3L-22 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3-25 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB22N03S4L-15 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N06S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-00 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor

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