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IPB180N04S4-00
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IPB180N04S4-00

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  • 产åå称ï1/4Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; R
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IPB180N04S4-00 Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOS-T2™; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; RthJC (max): 0,8 K/W;

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IPB25N06S3L-22 INFINEON10+TO263-3-2Transistor di potenza OptiMOSâ-T
IPB25N06S3-25 INFINEON10+TO-263Transistor di potenza OptiMOSâ-T
IPB22N03S4L-15 INFINEON10+TO-263Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; R
IPB180N06S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; R
IPB180N04S4-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; R
IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
IPB180N03S4L-01 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
IPB160N04S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
IPB160N04S3-H2 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS㢠- Transistor di potenza T

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ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 Connettori AB25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 Connettori AB25+è¿æ¥å ̈onnector inversione baionetta accoppiamento circolare RCP 14S-5 ST montaggio su scatola - Bulk
ABB1240KLKF80P3 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈Dimensione del pin di contatto 12. AWG 40 fili
ABB1240KPKF80P3 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈Dimensione del pin di contatto 12. AWG 40 fili
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+IMMERGERECondensatore: ceramico, 4,7 nF, 1 kV, U2J, ±5%, THT, 5 mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+IMMERGEREè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈Connettore circolare MIL Spec ER 5C 5#16S SKT PLUG
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Condensatore: ceramico, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 Elettronica JAE24+è¿æ¥å ̈CONNETTORE CONN R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Codice C-1106437 Connettività TE24+è¿æ¥å ̈Accessori per connettori Cappuccio in alluminio pressofuso Pezzo sciolto
KH208-8 Vitrohm24+IMMERGERERegione, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, Conduttori Assiali, Filo Avvolto, Potenza (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+IMMERGERE©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Tecnologie energetiche Amphenol24+è¿æ¥å ̈309 Connettore,3P+N+T / 5W - 60A - Connettore - 277/480V keway 7h,IP67
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621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Connettore circolare Connettore Spina Dimensione 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relè - Plug-in, 4 poli, bobina CA
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈

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IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Singolo: MOSFET a canale N da 30 V; Pacchetto: PG-TO263-7; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1,05 mOhm; ID (max): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
IPB180N03S4L-01 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
IPB160N04S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
IPB160N04S3-H2 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS㢠- Transistor di potenza T
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IPB120N06S4-H1 INFINEON10+TO263-3Singolo: MOSFET a canale N da 60 V; Pacchetto: PG-TO263-3; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-03 INFINEON10+TO263-3Singolo: MOSFET a canale N da 60 V; Pacchetto: PG-TO263-3; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-02 INFINEON10+TO263-3Singolo: MOSFET a canale N da 60 V; Pacchetto: PG-TO263-3; Tecnologia: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB100N10S3-05 INFINEON10+PG-TO263-3Transistor di potenza OptiMOS
IPB100N08S2L-07 INFINEON10+TO263-3Transistor di potenza OptiMOS
IRLMS6802TRPBF INFINEON11+SOT23-6MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da -20 V in un package TSOP-6 (Micro 6); Simile a IRLMS6802TR con imballaggio senza piombo
IRLMS6802TR INFINEON11+SOT-163MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da -20 V in un package TSOP-6 (Micro 6); Un IRLMS6802 con imballaggio in nastro e bobina
IRLMS6702TRPBF INFINEON11+SOT23-6MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da 20 V in package TSOP-6 (Micro 6); Un IRLMS6702 con imballaggio in nastro e bobina
IRLMS5703TR INFINEON11+SOT-163-MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da 30 V in un package TSOP-6 (Micro 6); Un IRLMS5703 con imballaggio in nastro e bobina
IPB100N08S2-07 INFINEON11+TO-263åçæ¶ä1/2管
IPB100N06S3-03 INFINEON11+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管
IPB100N06S2L-05 INFINEON11+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管
IPB100N06S2-05 INFINEON11+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管

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