ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > çμæºç®¡çè ̄ç
IPB160N04S3-H2
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IPB160N04S3-H2

  • æå±ç±»å«ï1/4çμæºç®¡çè ̄ç
  • 产åå称ï1/4OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4PG-TO263-7
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/44500
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IPB160N04S3-H2çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IPB160N04S3-H2 OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor

ä ̧IPB160N04S3-H2ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IPB180N04S4-00 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB180N03S4L-01 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2L-03 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2-03 INFINEON10+TO-263-6OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB120N06S4-H1 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-03 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-02 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IPB160N04S2L-03 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2-03 INFINEON10+TO-263-6OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB120N06S4-H1 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-03 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-02 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB100N10S3-05 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ Leistungstransistor
IPB100N08S2L-07 INFINEON10+TO263-3OptiMOSâ Leistungstransistor
IRLMS6802TRPBF INFINEON11+SOT23-6-20-V-Single-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS6802TR mit bleifreier Verpackung
IRLMS6802TR INFINEON11+SOT-163-20-V-Single-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ein IRLMS6802 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IRLMS6702TRPBF INFINEON11+SOT23-620-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ein IRLMS6702 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IRLMS5703TR INFINEON11+SOT-163-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ein IRLMS5703 mit Tape-and-Reel-Verpackung
IPB100N08S2-07 INFINEON11+TO-263åçæ¶ä1/2管
IPB100N06S3-03 INFINEON11+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管
IPB100N06S2L-05 INFINEON11+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管
IPB100N06S2-05 INFINEON11+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管
IPB100N04S3-03 INFINEON11+TO263-3åçæ¶ä1/2管
IPB100N04S2-04 INFINEON11+PG-TO263-7åçæ¶ä1/2管
IFX91041EJV INFINEON11+SOP8线æ§ç ̈³åå ̈
IFX8117ME INFINEON11+SOT223-4线æ§ç ̈³åå ̈
IFX2931G INFINEON11+SOP-8线æ§ç ̈³åå ̈

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·