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IPB45N06S4-09
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IPB45N06S4-09

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IPB45N06S4-09  OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor

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IPB50N10S3L-16 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB47N10SL-26 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB47N10S-33 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45P03P4L-11 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S4L-08 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S3L-13 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S3-16 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N04S4L-08 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3L-22 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3-25 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor

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RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk

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IPB45N06S3L-13 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S3-16 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N04S4L-08 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3L-22 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3-25 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB22N03S4L-15 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N06S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-00 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB180N03S4L-01 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S3-H2 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2L-03 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2-03 INFINEON10+TO-263-6OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB120N06S4-H1 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-03 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-02 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB100N10S3-05 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ Leistungstransistor

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