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BSC020N03LS
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BSC020N03LS

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  • 产åå称ï1/430,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RD
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BSC020N03LS 30.0 V 100.0 A Nééåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 3,3 mOhm; Zulässigkeit (max.): 100,0 A;

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BSC057N03MS INFINEON11+TDS0N-8N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS
BSC059N03S INFINEON11+TDS0N-8N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS
BSC031N06NS3 INFINEON11+SuperSO8Næ²é 60,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (o
BSC100N10NSF INFINEON10+TDS0N-8100,0 V 90,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC082N10LS INFINEON10+TSSOP-20100,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm;
BSC020N03MS INFINEON10+TDSON-830,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RD
TS25P02G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS25P01G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS20P10G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS20P08G TSC (Englisch)09+PBDIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈

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SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+继çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
UTS6JC10E6S SOURIAU-SONNENBANK23+è¿æ¥å ̈CONN PLUG FMALE 6P GOLD SLDR CUP
DPX2ME-A106SA106S-34B-0001 ITT22+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL-Steckverbinder
DPX2MEA106PA106P-33B-0401 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Conn Rack und Panel ARINC 404 SKT/SKT (106/106)Signal POS Crimp ST Panel
ACB1/PG-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
ACB1/BK-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
0-1103277-1 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Anschlussgehäuse M 12 POS Crimp ST Kabelhalterung Grau Lose
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSC020N03MS INFINEON10+TDSON-830,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RD
BSC025N03MS INFINEON2011+TDSON-8Néé 30,0 V 100,0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;
BSC027N03S INFINEON2011+TDSON-8Néé 30,0 V 100,0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;
BSC060N10NS3 INFINEON2011+TDSON-8Néé100.0 V 90.0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm;
BSC057N08NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/480.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,7 mOhm; RDS
BSC100N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 44.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC100N03MSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 44.0 aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC090N03LSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 47.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RD
BSC047N08NS3G INFINEON10+TDSON-8Néé 80.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,7 mOhm; RDS
BSC080N03MSG INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,2
BSC057N03LSG INFINEON2011+TDSON-830.0 V 73A Nééï1/4åºæåºç®¡
BSC057N03MSG INFINEON2011+TDSON-830.0 V 73A Nééï1/4åºæåºç®¡
BSC059N03SG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/460.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (
BSC031N06NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/460.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (
BSC100N10NSFG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100.0 V 90.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RD
BSC082N10LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm; RD
BSC020N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC020N03MSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC022N03SG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC025N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS

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