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BSC060N10NS3
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BSC060N10NS3

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  • 产åå称ï1/4Néé100.0 V 90.0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm;
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BSC060N10NS3 Néé100.0 V 90.0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; Bezeichnung (max.): 90,0 A;

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TS10P10G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS10P08G TSC (Englisch)09+PBDIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSC025N03MS INFINEON2011+TDSON-8Néé 30,0 V 100,0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;
BSC027N03S INFINEON2011+TDSON-8Néé 30,0 V 100,0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;
TS10P07G LTSEP09+DIPæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS10P06G LTSEP09+DIPæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSC057N08NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/480.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,7 mOhm; RDS
BSC100N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 44.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC100N03MSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 44.0 aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC090N03LSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 47.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RD

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSC057N08NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/480.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,7 mOhm; RDS
BSC100N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 44.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC100N03MSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 44.0 aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC090N03LSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 47.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RD
BSC047N08NS3G INFINEON10+TDSON-8Néé 80.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,7 mOhm; RDS
BSC080N03MSG INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,2
BSC057N03LSG INFINEON2011+TDSON-830.0 V 73A Nééï1/4åºæåºç®¡
BSC057N03MSG INFINEON2011+TDSON-830.0 V 73A Nééï1/4åºæåºç®¡
BSC059N03SG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/460.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (
BSC031N06NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/460.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (
BSC100N10NSFG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100.0 V 90.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RD
BSC082N10LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm; RD
BSC020N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC020N03MSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC022N03SG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC025N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC025N03MSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS
BSC027N03SG INFINEON2011+SuperSO8Nééï1/4 åºæåºç®¡
BSC079N10NSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100V 100 A åºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RDS (ein)
BSC060N10NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100V 90 A åºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein)

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